EasyGaN est spécialisée dans la synthèse de matériaux semiconducteurs large bande sur substrat silicium.
EasyGaN propose donc une technologie de substrats avancés, dit « templates », permettant de lever certains verrous technologiques de la fabrication du GaN sur Silicium (GaN sur Si).
|
Interview d’André BONNARDOT, Président d’EasyGaN |
 |
- Comité Editorial : Dans quel contexte s’inscrit votre innovation ?
André BONNARDOT (AB) : EasyGaN s’inscrit dans la dynamique de l’industrie du semiconducteur actuellement portée par le développement d’écotechnologies orientées vers une plus grande efficacité énergétique. Le GaN est un semiconducteur qui possède des propriétés remarquables. Il permet de fabriquer des diodes électroluminescentes (LEDs) très efficaces, ce qui a permis ces dernières années de révolutionner l’industrie de l’éclairage. Le GaN est aussi amené́ à jouer un rôle majeur dans le domaine de l’électronique de puissance (conversion de l’énergie électrique) et de l’électronique hyperfréquence (5G et plus) grâce à des transistors qui fournissent de forte densité́ de courant et des mobilités élevées. La technologie GaN sur Si est pressentie pour devenir une filière incontournable pour le développement des composants électroniques de demain. Pourtant, malgré́ une recherche académique intense et des efforts soutenus d’acteurs industriels au cours de ces 20 dernières années, la synthèse du GaN sur Si reste encore difficile à maîtriser et à reproduire repoussant sans cesse la date d’une arrivée massive de composants GaN sur Si sur le marché́. EasyGaN apporte justement des solutions pour faciliter l’accès à cette technologie grâce à notre savoir-faire unique sur les étapes critiques de la synthèse du GaN sur Si.
- CE : Comment avez-vous élaboré votre projet ?
AB : La startup EasyGaN est une spin-off du Centre de Recherche sur l’Hétéro-Epitaxie et ses Applications (CRHEA), un laboratoire du CNRS spécialiste et reconnu dans la synthèse matériau semiconducteurs large-bande. Notre technologie s’appuie sur les résultats d’un projet de l’Agence Nationale de la Recherche (ANR) qui a démarré en 2013 et dont l’objectif était de développer une méthode innovante et alternative pour faciliter la croissance du GaN sur silicium. La SAS EasyGaN a été fondée en 2017 par 3 associés, dont un directeur de recherche du CNRS. Depuis mi-2018, date à laquelle j’ai rejoint l’aventure, nous sommes accompagnés par l’Incubateur PACA-EST qui nous a aidé à progresser sur notre compréhension du marché et a grandement contribué à l’obtention d’un prix au concours BPIFrance i-Lab 2019. Ce prix nous a permis de réaliser notre première embauche, une jeune PhD spécialiste du domaine. Enfin, nous avons conclu dernièrement un contrat de collaboration avec le CNRS avec lequel nous comptons étendre notre portfolio d’innovations.
Produit EasyGaN
- CE : Quels sont vos actions et déploiements actuels ?
AB : Très prochainement, nous aurons accès à un réacteur récemment installé au CRHEA qui nous permettra de fabriquer les diamètres de substrats exigés par les industriels (6 et 8 pouces). Ce sera alors le point de départ d’une campagne de tests qui, nous l’espérons, confirmera la valeur de notre innovation aux yeux des acteurs du secteur. En parallèle de l’activité PoC (Proof of Concept), nous comptons également intensifier notre recherche d’investisseurs privés ou corporate. Enfin, nous allons accélérer notre R&D dans le domaine de la Radio Fréquence pour des applications 5G et au-delà.
- CE : Pourquoi avez-vous adhéré au Aktantis ?
AB : Notre objectif était de s’intégrer à l’écosystème de la micro-électronique régional et de bénéficier du réseau et de toute l’aide que peut apporter le pôle à une jeune entreprise innovante comme la nôtre.
Réacteur EJM (Épitaxie par Jets Moléculaires)
- CE : Le Pôle Aktantis vous a-t-il apporté ce que vous recherchiez ?
AB : Oui, nous avons tout abord bénéficié des conseils avisés des experts du pôle en ce qui concerne notre business plan et notre pitch. Même si le message n’est pas toujours agréable à entendre car il met le doigt là où ça fait mal, ce regard bienveillant mais sans concession porté sur notre projet a permis à l’équipe de progresser. D’autre part, nous avons reçu le soutien officiel du pôle SCS pour notre candidature à i-Lab 2019. Le pôle nous a également donné l’opportunité de participer au concours PME innovantes du Numérique SUD 2018 pour lequel nous avons gagné le prix dans la catégorie « micro-électronique ». Enfin, nous avons reçu des informations régulières et détaillées sur les différentes formes de financement des jeunes entreprises innovantes.
- CE : Qu’attendez-vous du Pôle demain ?
AB : Comme toutes les sociétés Deep-Tech, EasyGaN est soumis a des temps de développement long avant d’atteindre le marché. 2020 et 2021 seront des années clés pour l’existence d’EasyGaN car nous devrons trouver des financements importants sous différentes formes. Nous serons amenés à mettre en place des projets de R&D collaboratifs au niveau national, et européen et nous comptons sur le pôle SCS pour nous aider à les mener à bien et à obtenir les aides financières associées.
Contact
André BONNARDOT
Adresse Postale : Business Pôle, 1047 route des Dolines, 06560 Valbonne
Tél : 06 12 85 35 20
Mail : andre.bonnardot@easy-gan.com
Site Web: www.easy-gan.com
Twitter: @EasyGaN1
Linkedin: easygan