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REFLEX

Mémoires REsistives sur support FLEXible

L’objectif de ce projet est de développer des démonstrateurs de matrices mémoires non-volatiles de petite densité sur support flexible dédiées aux futures applications RFID (Radio-Frequency Identification) telles que les étiquettes intelligentes (« smart-tags »). Grâce à l’utilisation d’alliages chalcogènes comme matériaux fonctionnels, trois sortes de technologies mémoires, reposant sur des phénomènes physiques distinct, seront réalisés sur support souple. Tout d’abord des mémoires CBRAM (Conductive Bridge RAM) où un alliage de type GeS, employé comme électrolytes solide, est associé à une électrode electrochimiquement active (Ag) et inerte (W). Puis des mémoires PCM (Phase-Change Memory) où le GeTe est employé comme matériaux à changement de phase et enfin des mémoires hybride associant les fonctionnalité PCM/CBRAM devant disposer de 4 états logiques par cellule.