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MultiPhoton e-Inject 2010

Injection de porteurs libres par laser intense: Contrôle 3D de défaillances à l'intérieur de dispositifs intégrés à semi-conducteurs

Le projet MultiPhoton E-Inject a pour objectif de tirer bénéfice des spécificités des interactions multiphoniques d’ordres élevés pour développer des solutions innovantes pour le traitement de problématiques liées à la défaillance des dispositifs intégrés en microélectronique. La technique innovante qui sera développée est basée sur l’injection localisée de porteurs libres par laser femtosecondes infrarouges. Elle s’ajoutera au panel des microscopies non-linéaires et permettra de cartographier les matériaux et leurs défectivités (défauts) avec une résolution sub-micrométrique dans un espace à trois dimensions à l’intérieur de dispositifs intégrés. L’analyse de défaillance est un aspect stratégique majeur dans l’industrie des semi-conducteurs pour améliorer la fiabilité et le design des produits. Le projet abordera également des régimes d’interaction qui sont particulièrement attractifs pour l’écriture directe et/ou la correction locale à l’intérieur des semi-conducteurs. Ainsi, il ouvrira de nouvelles voies pour développer des solutions complètes (de la détection de défauts à la correction des matériaux) pour la microélectronique.

Ce projet a été déposé dans le cadre de l’édition 2010 du programme Jeunes Chercheuses et Jeunes Chercheures de l’ANR.